【摘要】一種充電電池電極安全保護(hù)封裝結(jié)構(gòu)，由雙層外 殼、電池電極、電極擋片、擋片保險(xiǎn)裝置、電極擋片尾部彈簧、 電池尾部扣手、電池電芯構(gòu)成，只有打開擋片保險(xiǎn)裝置才能滑 動(dòng)電極擋片，否則電池電極始終處于被遮擋狀態(tài)。工作時(shí)，電 極會(huì)被電池槽的引出
【摘要】 本發(fā)明公開了一種基于直接數(shù)字頻率合成技術(shù) 的高頻電刀輸出波形的控制裝置，由復(fù)雜可編程邏輯器件 (CPLD)、波形產(chǎn)生控制模塊、晶體振蕩器、MOSFET全橋電 路組成，波形產(chǎn)生控制模塊存儲(chǔ)在CPLD器件上，CPLD器件 根據(jù)Verilog HDL語言編寫設(shè)有429KHz脈寬固定波形的增量 寄存器、25KHz的PWM波形的增量寄存器。該裝置通過在常 規(guī)高頻電刀微控制器的輸出端連接CPLD器件，通過隔離電路 來控制MOSFET全橋電路，并在CPLD器件上應(yīng)用Verilog HDL語言編寫有針對(duì)微控制器輸出信號(hào)的波形產(chǎn)生控制模塊。 本發(fā)明利用直接數(shù)字頻率合成(DDS)技術(shù)控制高頻電刀輸出波 形，能夠有效地提高高頻電刀控制波形的可靠性和穩(wěn)定性，降 低了建立硬件波形產(chǎn)生電路的復(fù)雜程度、生產(chǎn)成本。本發(fā)明高 頻電刀輸出波形控制裝置配置靈活，可以任意修改波形信號(hào)的 參數(shù)，能夠產(chǎn)生未經(jīng)調(diào)試的高頻波形信號(hào)(用于純切)以及經(jīng)過 調(diào)制后的高頻波形信號(hào)(用于凝和混切)。 【專利類型】發(fā)明申請(qǐng) 【申請(qǐng)人】北京市亞可康達(dá)技術(shù)研究所; 北京航空航天大學(xué) 【申請(qǐng)人類型】科研單位,學(xué)校 【申請(qǐng)人地址】100073北京市豐臺(tái)區(qū)太平橋華源新地13－107號(hào) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國 【申請(qǐng)人城市】北京市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】豐臺(tái)區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610113791.4 【申請(qǐng)日】2006-10-17 【申請(qǐng)年份】2006 【公開公告號(hào)】CN1957857A 【公開公告日】2007-05-09 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN1957857B 【授權(quán)公告日】2010-06-09 【授權(quán)公告年份】2010.0 【IPC分類號(hào)】A61B18/12; H05B1/00 【發(fā)明人】龐亞宏; 張慶榮; 劉強(qiáng); 吳語紅 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種基于直接數(shù)字頻率合成技術(shù)的高頻電刀輸出波形的控制裝置，其特征在于： 由復(fù)雜可編程邏輯器件(CPLD)、波形產(chǎn)生控制模塊、晶體振蕩器、MOSFET 全橋電路組成，波形產(chǎn)生控制模塊存儲(chǔ)在CPLD器件上，CPLD器件根據(jù)Verilog HDL語言編寫設(shè)有429KHz脈寬固定波形的增量寄存器、25KHz的PWM波形 的增量寄存器；CPLD器件與微控制器在硬件形式上的連接為，CPLD器件的4 位控制端口、8位數(shù)據(jù)線端口分別與微控制器端口連接。 【當(dāng)前權(quán)利人】北京市亞可康達(dá)技術(shù)研究所; 北京航空航天大學(xué) 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】北京市豐臺(tái)區(qū)太平橋華源新地13-107號(hào); 北京市海淀區(qū)學(xué)院路37號(hào) 【統(tǒng)一社會(huì)信用代碼】12100000400011227Y 【被引證次數(shù)】6 【被他引次數(shù)】6.0 【家族引證次數(shù)】4.0 【家族被引證次數(shù)】6
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