【摘要】一種多孔SiO2薄膜的制備方法,采用平行極板式電容耦合等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)設(shè)備,上電極極板為雙層篩狀進(jìn)氣結(jié)構(gòu),兩極板的板間距為2.5cm~3.5cm,13.56MHz的射頻信號經(jīng)匹配網(wǎng)絡(luò)聯(lián)接到上極板上,下電極極板接
【摘要】 省略俯視圖和仰視圖。 【專利類型】外觀設(shè)計 【申請人】昆明市僑思達(dá)木材有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】650000云南省昆明市官渡區(qū)六甲鄉(xiāng)上五甲村281號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】昆明市 【申請人區(qū)縣】官渡區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200630020765.8 【申請日】2006-03-23 【申請年份】2006 【公開公告號】CN3607344D 【公開公告日】2007-02-07 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN3607344D 【授權(quán)公告日】2007-02-07 【授權(quán)公告年份】2007.0 【發(fā)明人】楊欽武; 張嵐 【主權(quán)項內(nèi)容】無 【當(dāng)前權(quán)利人】昆明市僑思達(dá)木材有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】云南省昆明市官渡區(qū)六甲鄉(xiāng)上五甲村281號 【專利權(quán)人類型】有限責(zé)任公司(自然人投資或控股) 【統(tǒng)一社會信用代碼】915301112166919984
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