【摘要】本發(fā)明涉及一種在單晶硅基底表面直接制備Cr -Si硅化物電阻薄膜的方法,通過(guò)使用高Si含量的Cr-Si鑄 造合金靶材(原子比[Si][Cr]>2),利用磁控濺射法直接在單晶 Si基底上制備電阻薄膜。所制備的高Si含量的Cr-Si薄膜
【專利類型】外觀設(shè)計(jì) 【申請(qǐng)人】陳國(guó)輝 【申請(qǐng)人類型】個(gè)人 【申請(qǐng)人地址】650000云南省昆明市西山區(qū)二環(huán)西路222號(hào)高新開發(fā)區(qū)騰普科技軟件發(fā)展有限公司 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】昆明市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】西山區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200630008218.8 【申請(qǐng)日】2006-03-22 【申請(qǐng)年份】2006 【公開公告號(hào)】CN3614476D 【公開公告日】2007-02-28 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN3614476D 【授權(quán)公告日】2007-02-28 【授權(quán)公告年份】2007.0 【發(fā)明人】陳國(guó)輝 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】無(wú) 【當(dāng)前權(quán)利人】陳國(guó)輝 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】云南省昆明市西山區(qū)二環(huán)西路222號(hào)高新開發(fā)區(qū)騰普科技軟件發(fā)展有限公司
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