【專利類型】外觀設(shè)計(jì)【申請(qǐng)人】朱新峰【申請(qǐng)人類型】個(gè)人【申請(qǐng)人地址】671000云南省大理市下關(guān)建設(shè)東路56號(hào)鴻泰花園【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó)【申請(qǐng)人城市】大理白族自治州【申請(qǐng)人區(qū)縣】大理市【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200630128979.7【申請(qǐng)日】20
【摘要】 一種快響應(yīng)光熱輻射感生電壓材料及制備方法 和應(yīng)用，屬光、熱輻射感生電壓材料技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明用 RE1－ xAxCoyOz作為光 輻射、熱輻射感生電壓效應(yīng)的材料，并將其外延生長(zhǎng)在傾斜取 向的SrTiO3、 LaAlO3、YSZ、MgO、 LaSrAlO4、Si、 SiO2/Si等單晶襯底上。當(dāng)光(激 光)、熱輻射照射在該種薄膜表面，被薄膜吸收并在薄膜上下表 面造成溫差時(shí)，薄膜兩端會(huì)有電壓產(chǎn)生。從而可用于微秒至飛 秒響應(yīng)時(shí)間的，從真空紫外到遠(yuǎn)紅外光譜的光、熱輻射的能量 或功率測(cè)量。 【專利類型】發(fā)明申請(qǐng) 【申請(qǐng)人】昆明理工大學(xué) 【申請(qǐng)人類型】學(xué)校 【申請(qǐng)人地址】650051云南省昆明市昆明理工大學(xué)(新迎校區(qū))光電子材料研究所 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】昆明市 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610101080.5 【申請(qǐng)日】2006-07-07 【申請(qǐng)年份】2006 【公開公告號(hào)】CN1923751A 【公開公告日】2007-03-07 【公開公告年份】2007 【發(fā)明人】張鵬翔; 彭巨擘; 劉翔; 王建祿 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種快響應(yīng)光熱輻射感生電壓材料及制備方法和應(yīng)用，其特征在于：該 材料分子式為RE1-xAxCoyOz，其分子式RE1-xAxCoyOz中RE代表三價(jià)的Y、稀土 離子或其組合，A代表二價(jià)Ca、Sr、Pb和Ba堿金屬和二價(jià)金屬或其組合，其 中x小于1，y＝0.75-1.5，z＝2.5-4.0。 【當(dāng)前權(quán)利人】昆明理工大學(xué) 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】云南省昆明市昆明理工大學(xué)(新迎校區(qū))光電子材料研究所 【統(tǒng)一社會(huì)信用代碼】125300004312044864 【被引證次數(shù)】TRUE 【家族被引證次數(shù)】TRUE
未經(jīng)允許不得轉(zhuǎn)載：http://m.sg012.cn/1775733124.html
喜歡就贊一下
