【摘要】本發(fā)明涉及一種磁控濺射鍍膜用低熔點(diǎn)金屬與 背板加工工藝，該工藝包括準(zhǔn)備低熔點(diǎn)金屬坯料和背板材料， 對(duì)背板材料進(jìn)行處理，使背板層與低熔點(diǎn)金屬層接觸的一面呈 規(guī)則或不規(guī)則的槽或溝，增加其表面積，將低熔點(diǎn)金屬坯料熔 化，清理背板雜質(zhì)，將低
【摘要】 本發(fā)明公開了一種下式所示的含磷有機(jī)硅化合 物及其制備方法，該化合物同時(shí)含有硅、磷兩種阻燃元素，且 含有多個(gè)羥基，它可以作為反應(yīng)型阻燃中間體。以9，10－二 氫－9－氧雜－10－磷雜菲－10－氧化物(DOPO)和含碳碳雙 鍵的硅氧烷為原料，加熱引發(fā)加成反應(yīng)，然后加入水和催化劑 將烷氧基水解，制備得到一種帶有多個(gè)羥基的含磷有機(jī)硅化合 物。該含磷有機(jī)硅化合物同時(shí)含有硅，磷兩種阻燃元素，與9， 10－二氫－9－氧雜－10－磷雜菲－10－氧化物相比，該化合 物具有多個(gè)官能團(tuán)，可以與其他物質(zhì)進(jìn)行縮聚反應(yīng)制備大分子 阻燃劑，是一種反應(yīng)型阻燃中間體。 【專利類型】發(fā)明申請(qǐng) 【申請(qǐng)人】上海交通大學(xué) 【申請(qǐng)人類型】學(xué)校 【申請(qǐng)人地址】200240上海市閔行區(qū)東川路800號(hào) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國 【申請(qǐng)人城市】上海市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】閔行區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610117894.8 【申請(qǐng)日】2006-11-02 【申請(qǐng)年份】2006 【公開公告號(hào)】CN1944446A 【公開公告日】2007-04-11 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN100410262C 【授權(quán)公告日】2008-08-13 【授權(quán)公告年份】2008.0 【IPC分類號(hào)】C07F9/6571; C07F9/00 【發(fā)明人】仲含芳; 江平開; 韋平; 汪根林; 張軍; 吳丹 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1.一種含磷有機(jī)硅化合物，其特征在于其化學(xué)結(jié)構(gòu)式如下所示： 式中R1為亞甲基，亞乙基，亞己基或亞己基； ？？？？R4為甲基或羥基。 【當(dāng)前權(quán)利人】常州八益電纜股份有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】江蘇省常州市新北區(qū)電子科技產(chǎn)業(yè)園科技大道18號(hào) 【統(tǒng)一社會(huì)信用代碼】1210000042500615X0 【被引證次數(shù)】33 【被自引次數(shù)】5.0 【被他引次數(shù)】28.0 【家族被引證次數(shù)】33
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