【摘要】1.本外觀設計產(chǎn)品的設計要點在于主視圖、后視圖，其他視圖無 設計要點，省略其他視圖。 2.請求保護的外觀設計包含色彩?！緦＠愋汀客庥^設計【申請人】衣戀時裝(上海)有限公司【申請人類型】企業(yè)【申請人地址】200241上海市閔行區(qū)龍吳
【摘要】 本發(fā)明公開了一種硅太陽電池的結(jié)構(gòu)，包括電池背電極、半導體硅襯底層和費米能級不同于半導體硅襯底層的半導體薄膜層，在半導體硅襯底層的材料受光面的表面制備有具有準一維納米晶體結(jié)構(gòu)，這層納米晶體結(jié)構(gòu)的孔隙被半導體薄膜層填充，兩者形成具有分離光生載流子作用的異質(zhì)結(jié)。由于在結(jié)構(gòu)上利用了納米結(jié)構(gòu)的表面效應、體積效應和量子尺寸效應，可以使用較低純度的硅材料制造硅太陽電池，并獲得滿意的光電轉(zhuǎn)換效率。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】上海太陽能科技有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】201108上海市莘莊工業(yè)區(qū)中南路555號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區(qū)縣】閔行區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610025566.5 【申請日】2006-04-10 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101055900A 【公開公告日】2007-10-17 【公開公告年份】2007 【發(fā)明人】李濤勇; 袁曉 【主權(quán)項內(nèi)容】1、一種硅太陽電池，包括電池背電極、半導體硅襯底層和費米能級不 同于半導體硅襯底層的半導體薄膜層，其特征在于：所述半導體硅襯底層 的材料受光面的表面制備有具有準一維納米晶體結(jié)構(gòu)，所述的半導體薄膜 層填充于該納米晶體結(jié)構(gòu)的孔隙，并與之形成具有分離光生載流子作用的 異質(zhì)結(jié)層。 【當前權(quán)利人】上海太陽能科技有限公司 【當前專利權(quán)人地址】上海市莘莊工業(yè)區(qū)中南路555號 【專利權(quán)人類型】其他有限責任公司 【統(tǒng)一社會信用代碼】9131011263168762XU 【被引證次數(shù)】4 【被他引次數(shù)】4.0 【家族被引證次數(shù)】4
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