【摘要】平面產(chǎn)品，省略其他視圖?！緦＠愋汀客庥^設計【申請人】上海適宜廣告有限公司【申請人類型】企業(yè)【申請人地址】201100上海市閔行區(qū)金都路4299號D幢1576室【申請人地區(qū)】中國【申請人城市】上海市【申請人區(qū)縣】閔行區(qū)【申請?zhí)枴緾N
【摘要】 一種反應磁控濺射 TiN/SiO2硬質(zhì)納米多層涂層的制 備方法，屬于工模具涂層制備技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明采用多靶磁控 濺射涂層制備設備，在低氣壓的Ar和 N2混合氣氛中，由獨立的射頻陰 極分別控制金屬Ti靶和化合物 SiO2靶，通過基體在兩靶前產(chǎn)生 的等離子體中交替停留形成層狀結(jié)構(gòu)。其中TiN層通過金屬 Ti靶與N2氣反應生成，而 SiO2層則由 SiO2化合物靶直接濺射獲得，且 在發(fā)明所述的N2氣氛圍中濺射 得到的SiO2層不含氮。本發(fā)明提 供的具有很高生產(chǎn)效率的 TiN/SiO2納米多層涂層的反應磁 控濺射制備技術(shù)，可以滿足具有高硬度和優(yōu)異抗氧化性能、適 用于高速切削和干式切削涂層的工業(yè)規(guī)?；a(chǎn)的需要。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】上海交通大學 【申請人類型】學校 【申請人地址】200240上海市閔行區(qū)東川路800號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區(qū)縣】閔行區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610029132.2 【申請日】2006-07-20 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1888131A 【公開公告日】2007-01-03 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN100424224C 【授權(quán)公告日】2008-10-08 【授權(quán)公告年份】2008.0 【IPC分類號】C23C14/35; C23C14/06; C23C14/54 【發(fā)明人】孔明; 李戈揚; 劉艷; 戴嘉維 【主權(quán)項內(nèi)容】1.一種反應磁控濺射TiN/SiO2硬質(zhì)納米多層涂層的制備方法，其特征在于： 采用多靶磁控濺射涂層制備設備，金屬Ti靶和陶瓷SiO2靶分別由獨立的射頻陰 極控制，在Ar和N2混合氣氛中進行反應磁控濺射，TiN層通過濺射金屬Ti靶 并與N2氣反應生成，而SiO2層則由SiO2化合物靶直接濺射獲得，多層涂層通過 基體在Ti靶和SiO2靶前交替接受濺射形成納米層狀結(jié)構(gòu)。 馬 克 數(shù) 據(jù) 網(wǎng) 【當前權(quán)利人】上海交通大學 【當前專利權(quán)人地址】上海市閔行區(qū)東川路800號 【統(tǒng)一社會信用代碼】1210000042500615X0 【引證次數(shù)】2.0 【被引證次數(shù)】5 【自引次數(shù)】1.0 【他引次數(shù)】1.0 【被他引次數(shù)】5.0 【家族引證次數(shù)】5.0 【家族被引證次數(shù)】6
未經(jīng)允許不得轉(zhuǎn)載：http://m.sg012.cn/1775508103.html
喜歡就贊一下
