【摘要】1.省略其它視圖。 2.請求保護(hù)色彩?！緦＠愋汀客庥^設(shè)計(jì)【申請人】胡小正【申請人類型】個(gè)人【申請人地址】102401北京市房山區(qū)良鄉(xiāng)鎮(zhèn)拱辰南大街42號辰光嘉園A座10-301室【申請人地區(qū)】中國【申請人城市】北京市【申請人區(qū)縣】房
【摘要】 本實(shí)用新型屬于光電子器件制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及半導(dǎo)體發(fā)光二極管的電極結(jié)構(gòu)。低壓降高取光LED電極，其結(jié)構(gòu)包括：半導(dǎo)體基底(1)，歐姆接觸層(2)，透明電流擴(kuò)展層(3)，壓焊電極(4)；歐姆接觸層與半導(dǎo)體基底接觸，覆蓋在半導(dǎo)體基底的上面；透明電流擴(kuò)展層覆蓋在歐姆接觸層上面；壓焊電極位于透明電流擴(kuò)展層(3)上面；歐姆接觸層(2)為一種帶有通孔(5)的導(dǎo)電膜(6)；透明電流擴(kuò)展層(3)通過歐姆接觸層(2)的通孔(5)與半導(dǎo)體基底(1)接觸。本實(shí)用新型解決了傳統(tǒng)金屬歐姆接觸層吸光大的問題，增加了電極的取光效率；降低了傳統(tǒng)透明導(dǎo)電氧化物接觸層電極驅(qū)動(dòng)電壓，獲得了低的LED驅(qū)動(dòng)電壓。 【專利類型】實(shí)用新型 【申請人】北京工業(yè)大學(xué) 【申請人類型】學(xué)校 【申請人地址】100022北京市朝陽區(qū)平樂園100號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區(qū)縣】朝陽區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200620158556.4 【申請日】2006-11-24 【申請年份】2006 【公開公告號】CN200983371Y 【公開公告日】2007-11-28 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN200983371Y 【授權(quán)公告日】2007-11-28 【授權(quán)公告年份】2007.0 【IPC分類號】H01L33/00; H01L33/14; H01L33/36 【發(fā)明人】沈光地; 徐晨; 朱彥旭; 劉瑩; 韓金茹; 鄒德恕 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】權(quán)利要求書 1、低壓降高取光LED電極，其結(jié)構(gòu)至少包括：半導(dǎo)體基底(1)、歐姆接觸層 (2)、透明電流擴(kuò)展層(3)、壓焊電極(4)；歐姆接觸層(2)與半導(dǎo)體基 底(1)接觸，覆蓋在半導(dǎo)體基底(1)的上面；透明電流擴(kuò)展層(3)覆 蓋在歐姆接觸層(2)上面，壓焊電極(4)位于透明電流擴(kuò)展層(3)的上 方；其特征在于：歐姆接觸層(2)為一種帶有的通孔(5)的導(dǎo)電膜(6)； 透明電流擴(kuò)展層(3)通過歐姆接觸層(2)的通孔(5)與半導(dǎo)體基底(1) 接觸。 【當(dāng)前權(quán)利人】北京太時(shí)芯光科技有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】北京市大興區(qū)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)地澤北街一號一層 【專利權(quán)人類型】公立 【統(tǒng)一社會信用代碼】12110000400687411U 【被引證次數(shù)】4 【被他引次數(shù)】4.0 【家族被引證次數(shù)】4
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