【摘要】本發(fā)明涉及一種在單晶硅基底表面直接制備Cr -Si硅化物電阻薄膜的方法,通過使用高Si含量的Cr-Si鑄 造合金靶材(原子比[Si][Cr]>2),利用磁控濺射法直接在單晶 Si基底上制備電阻薄膜。所制備的高Si含量的Cr-Si薄膜
【摘要】 1.請求保護(hù)的外觀設(shè)計包含色彩。 2.省略其他視圖。 3.A部透明。 來源:馬 克 團(tuán) 隊 【專利類型】外觀設(shè)計 【申請人】王榮海 【申請人類型】個人 【申請人地址】655000云南省曲靖市內(nèi)環(huán)東路222號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】曲靖市 【申請?zhí)枴緾N200630021001.0 【申請日】2006-07-11 【申請年份】2006 【公開公告號】CN3639496D 【公開公告日】2007-05-02 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN3639496D 【授權(quán)公告日】2007-05-02 【授權(quán)公告年份】2007.0 【發(fā)明人】王榮海 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】無 【當(dāng)前權(quán)利人】王榮海 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】云南省曲靖市內(nèi)環(huán)東路222號
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