【摘要】一種網(wǎng)絡(luò)安全技術(shù)領(lǐng)域的防火墻日志事件審計(jì) 方法及教學(xué)實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)。本發(fā)明在局域網(wǎng)環(huán)境中，真實(shí)再現(xiàn)多用 戶防火墻日志產(chǎn)生的全過(guò)程，由開(kāi)源的iptables和FWTK產(chǎn)生 原始日志，結(jié)合各分類日志生成解析模塊生成各分類日志，通 過(guò)對(duì)比普通包
【摘要】 一種微電子技術(shù)領(lǐng)域的硅基多層螺旋差分電感。 本發(fā)明包括：襯底、六層二氧化硅層、六層金屬螺旋線圈、連 接通孔、金屬導(dǎo)體和端口，第一層二氧化硅層設(shè)置在硅襯底上， 六層金屬螺旋線圈分別對(duì)應(yīng)設(shè)置在六層二氧化硅層上，端口與 第六層金屬螺旋圈處在一個(gè)平面上，它與第一層金屬螺旋線圈 的導(dǎo)體兩側(cè)分別相連，不同層的金屬螺旋線圈通過(guò)連接通孔連 接后再與金屬導(dǎo)體相連。本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易于實(shí)現(xiàn)，能夠使 寄生電容降到最低，從而獲得較高的自諧振頻率和較高的品質(zhì) 因數(shù)。本發(fā)明的最佳連接方式極大地減小了電場(chǎng)儲(chǔ)能引起的寄 生電容，從而可以很大程度上提高微電感的高頻性能，具有廣 泛的用途。。更多數(shù)據(jù)：搜索馬克數(shù)據(jù)網(wǎng)來(lái)源：www.macrodatas.cn 【專利類型】發(fā)明申請(qǐng) 【申請(qǐng)人】上海交通大學(xué) 【申請(qǐng)人類型】學(xué)校 【申請(qǐng)人地址】200240上海市閔行區(qū)東川路800號(hào) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】上海市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】閔行區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610029137.5 【申請(qǐng)日】2006-07-20 【申請(qǐng)年份】2006 【公開(kāi)公告號(hào)】CN1889265A 【公開(kāi)公告日】2007-01-03 【公開(kāi)公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN100524749C 【授權(quán)公告日】2009-08-05 【授權(quán)公告年份】2009.0 【IPC分類號(hào)】H01L27/00; H01F17/00 【發(fā)明人】林良; 王玉洋; 毛軍發(fā); 尹文言 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種硅基多層螺旋差分電感，包括：襯底(1)，六層二氧化硅層(2、 13、14、15、16、17)，六層金屬螺旋線圈(3、4、5、6、7、8)，連接通孔(9)， 金屬導(dǎo)體(12)和端口(10)，其特征在于：第一層二氧化硅層(2)設(shè)置在硅 襯底(1)上，第一層金屬螺旋線圈(3)位于第一層二氧化硅層(2)平面上， 第二層金屬螺旋線圈(4)位于第二層二氧化硅層(13)平面上，第三層金屬螺 旋線圈(5)位于第三層二氧化硅層(14)平面上，第四層金屬螺旋線圈(6) 位于第四層二氧化硅層(15)平面上，第五層金屬螺旋線圈(7)位于第五層二 氧化硅層(16)平面上，頂層第六層金屬螺旋線圈(8)位于第六層二氧化硅層 (17)平面上，端口(10)與第六層金屬螺旋圈(8)處在一個(gè)平面上，它與第 一層金屬螺旋線圈(3)的導(dǎo)體兩側(cè)分別相連，六層金屬螺旋線圈(3、4、5、6、 7、8)通過(guò)連接通孔(9)連接后再與金屬導(dǎo)體(12)相連。 【當(dāng)前權(quán)利人】上海交通大學(xué) 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】上海市閔行區(qū)東川路800號(hào) 【統(tǒng)一社會(huì)信用代碼】1210000042500615X0 【被引證次數(shù)】16 【被他引次數(shù)】16.0 【家族引證次數(shù)】6.0 【家族被引證次數(shù)】18
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